SEM平面形貌观察与EBSD分析法

扫描电子显微镜（SEM）平面形貌观察：通过电子束扫描样品表面，利用电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等信号，生成高分辨率的表面形貌图像，可直观观察样品的微观结构、形态、尺寸分布等特征。

电子背散射衍射（EBSD）分析：基于电子束轰击样品产生的背散射电子在晶体中发生衍射的原理，通过检测衍射花样，获取样品的晶体结构、取向分布、晶粒尺寸与形态、晶界类型等信息，广泛应用于材料的织构分析、相变研究等。

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能力概况

我们结合日立FE-SEM SU3800SE的高分辨率成像能力与牛津CMOS EBSD C-Nano+的高效衍射信号采集能力，可实现从样品表面形貌观察到晶体学信息分析的一体化研究。能够对金属、陶瓷、半导体、复合材料等多种材料进行微观结构与晶体学特性的综合表征，为材料的性能研究、失效分析、工艺优化等提供关键数据支持。

仪器设备

日立多合一热场扫描电子显微镜SU3800SE融合高性能与通用性，具备高分辨观察能力、支持大型样品和低真空功能，其配备的牛津电子背散射衍射仪C-Nano+，是一款出色的 CMOS EBSD 探测器，可提供百万像素分辨率的EBSD花样，并保证超过600花样/秒的分析速度，再加上其光纤光学系统带来的高灵敏度，对具有挑战性的材料（包括陶瓷和矿物）可以进行高精度的分析。


功能特点

· SU3800SE：属于场发射扫描电子显微镜，具备高分辨率成像能力，可对样品表面进行高倍、清晰的形貌观察；配备多种探测器，支持二次电子成像、背散射电子成像等多种成像模式，适应不同样品的分析需求。

· C-Nano+：基于CMOS技术的EBSD探测器，具有高灵敏度和快采集速度，可快速获取清晰的衍射花样；适配多种SEM系统，兼容性强；具备先进的数据处理软件，可高效分析晶体取向、织构等信息。


技术参数


技术指标
参数范围
SU3800SE分辨率可达0.9 nm（30 kV，二次电子成像）；加速电压范围0.5 - 30 kV；放大倍数可达60万倍；样品台可实现大范围移动与倾斜，方便多角度观察。
C-Nano+像素分辨率高，衍射花样采集速度快（可达每秒数百帧）；空间分辨率可达纳米级；可分析的晶体结构范围广，包括立方、六方等多种晶系。


在材料科学领域的应用

· SU3800SE：用于观察材料的表面形貌，如晶粒形态、缺陷分布、涂层结构等；分析材料的断裂形貌，推断断裂机制；研究纳米材料的尺寸与分布特征等。

· C-Nano+：分析材料的织构，研究材料加工过程中织构的形成与演变；测定晶粒尺寸与取向差，评估材料的力学性能；识别晶界类型，研究晶界对材料性能的影响等。